I dag tales der ikke om den reelle linjebredde (CD = Critical Dimension) for nogen transistor. Nutidens “nodes” er ren markedsføringssnak, som ikke har noget at gøre med litografi-termer. Tidligere beskrev de tydeligt den linjebredde, der opstod i litografien, eller bredden på transistorens gate. Det bliver vist lidt off-topic nu 
Det, som Timontti så vidt jeg forstår leder efter i casen, er, hvor mange EUV-lag der laves med en maske, der har en CNT-pellikel. DUV-lag er så en anden sag.